設(shè)備特點(diǎn)：

1. 高精度控制

溫度控制：采用PID控制器，實(shí)現(xiàn)對溫度的精確控制，確保晶體生長過程中的溫度穩(wěn)定性和梯度一致性。

運(yùn)動控制：精密的機(jī)械系統(tǒng)和伺服電機(jī)驅(qū)動，保證坩堝下降、爐膛移動以及旋轉(zhuǎn)提拉動作的平穩(wěn)性和準(zhǔn)確性。

2. 優(yōu)化的溫度梯度

通過精心設(shè)計的加熱元件布局和冷卻系統(tǒng)，能夠在熔體內(nèi)形成理想的溫度梯度，有利于單晶的無缺陷生長。

3. 均勻性與質(zhì)量

旋轉(zhuǎn)提拉：旋轉(zhuǎn)有助于熔體內(nèi)部溫度和成分的均勻分布，減少晶體中的微觀缺陷。

提拉速度可調(diào)：根據(jù)不同的材料特性調(diào)整提拉速度，以獲得最佳的晶體生長條件。

4. 自動化程度高

編程控制：支持多段溫度曲線編程及運(yùn)動參數(shù)設(shè)置，用戶可以通過觸摸屏或計算機(jī)界面輕松設(shè)定并監(jiān)控整個生長過程。

數(shù)據(jù)記錄與分析：內(nèi)置數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，實(shí)時記錄溫度、位置、轉(zhuǎn)速等關(guān)鍵參數(shù)，并提供專業(yè)的數(shù)據(jù)分析軟件，便于后續(xù)分析。

設(shè)備名稱

布里奇曼單晶生長爐

設(shè)備型號

LO1700-100T2F

電源

AC380V 50Hz

最大功率

9.5KW

Tmax

1650℃（<1小時）

連續(xù)工作溫度

1600℃

加熱元件

硅鉬棒

爐管法蘭

99剛玉管尺寸Φ100*1300mm（使用溫度＜1700℃）

配有一套不銹鋼密封法蘭，允許在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下進(jìn)行晶體生長

樣品臺

Φ80mm石墨樣品臺

B型熱偶插入到樣品臺底部，可實(shí)時測量坩堝溫度

坩堝裝載

自動樣品臺升降，便于坩堝放置/取樣

最大行程700mm

加熱區(qū)

雙溫區(qū)，溫區(qū)長度100+100mm

控溫系統(tǒng)

采用PID方式控溫，可設(shè)置升降溫程序

帶有超溫和斷偶保護(hù)

控溫精度

±1℃

熱電偶

B型熱偶

爐體移動行程及速度

爐體最大移動行程為300mm

移動速度：0.03~6000mm/小時

1、燒結(jié)工藝曲線設(shè)置：動態(tài)顯示設(shè)置曲線，設(shè)備燒結(jié)可預(yù)存多條工藝曲線，每條工藝曲線可自由設(shè)置；

2、可預(yù)約燒結(jié)，實(shí)現(xiàn)無人值守?zé)Y(jié)工藝曲線燒結(jié)；

3、實(shí)時顯示燒結(jié)功率電壓等信息并記錄燒結(jié)數(shù)據(jù)，并可導(dǎo)出實(shí)現(xiàn)無紙記錄；

4、具有實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程操控，實(shí)時觀測設(shè)備狀態(tài)；

5、溫度校正：主控溫度和試樣溫度的差值，燒結(jié)全程進(jìn)行非線性修正。

2、設(shè)備使用時，爐管內(nèi)壓力不得超過0.125MPa（絕對壓力），以防止壓力過大造成設(shè)備損壞；

3、真空下使用時，設(shè)備使用溫度不得超過800℃。

4、供氣鋼瓶內(nèi)部氣壓較高，向爐管內(nèi)通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在選購試驗(yàn)用小壓力減壓閥，減壓閥量程為0.01MPa-0.15MPa,使用時會更加精確安全。

5、當(dāng)爐體溫度高于1000℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓 相當(dāng)，保持在常壓狀態(tài)；

6、高純石英管的長時間使用溫度≦1100℃

7、加熱的實(shí)驗(yàn)時，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，絕對壓力表讀數(shù)不要大于0.15MPa，必須立刻打開排氣端閥門，以防意外發(fā)生（如爐 管破裂，法蘭飛出等）。