產(chǎn)品名稱

銻化鎵(GaSb)晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：立方晶系

晶格常數(shù)：6.095?

硬度（Mohs）4.5

密度：5.619 g/cm3

熔點(diǎn)：710℃

介電常數(shù)：15.7

熱膨脹系數(shù)：6.1×10-6/oK

熱導(dǎo)率：270 mW / cm.k at 300K

摻雜類型：N型摻Te；P型不摻雜

載流子濃度：1~2x10¹⁷ 1~5x10¹⁶ 1~5x10¹⁸ 2~6x10¹⁷ 1~5x10¹⁶

位錯(cuò)密度：<103 cm^-2

生長(zhǎng)方法：LEC

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向： （100）、（110）、（111）

常規(guī)尺寸：dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm

拋光情況：?jiǎn)螔?span>

表面粗糙度：<15A

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝