產(chǎn)品名稱：

GaTe 單晶基片

技術(shù)參數(shù)：

電阻率:N/A

產(chǎn)品規(guī)格;

晶向:(0001)

尺寸:10x10x1.0mm

拋光情況:拋光，自然解理面

注:可按客戶要求定制方向和尺寸

標(biāo)準(zhǔn)包裝

標(biāo)準(zhǔn)包裝:1000 級超凈室，100級超凈袋

產(chǎn)品名稱

氮化鎵(GaN)晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：六方晶系

晶格常數(shù)a=?3.186 ??,??c?=?5.186 ?

傳導(dǎo)類型：N型摻Si；N型不摻雜

可用表面積：>90%

位錯(cuò)密度：（5-9）x105Ω.cm

電阻率：R<0.05 Ω.cm；R<0.1Ω.cm

介電常數(shù)：8.9

TTV：≤15um

密度：6.15（g/cm3）

生長方法：HVPE（氫化物氣相外延法）

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向： (0001)

常規(guī)尺寸：10.5x10x0.35mm、5x5x0.35mm

表面粗糙度：<5?

注：尺寸可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝