?-Ga2O3（β-氧化鎵（β-Ga2O3））
發(fā)布時(shí)間： 2024-03-23 19:09:20 瀏覽次數(shù)：697
產(chǎn)品介紹：
近十年來，β-氧化鎵（β-Ga2O3）材料和器件技術(shù)取得了快速發(fā)展，其禁帶寬度EG=4.9eV，遠(yuǎn)超碳化硅(約3.4eV)、氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性良好，具有很強(qiáng)的電子學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能。它具有高折射率、可調(diào)諧的拉曼散射響應(yīng)、低的漏電流和以非常穩(wěn)定的外延特性。它還具有出色的小波紋動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)特性和高的發(fā)射效率。此外，它還具有很高的壓集能和硒的抗氧化能。
產(chǎn)品名稱 | ?-Ga2O3單晶基片 |
技術(shù)參數(shù) | 晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系 |
晶格常數(shù)：a=12.23A,b=3.04A,?c=5.80A, ?=103.7° | |
密度：5.95g/cm3 | |
熔點(diǎn)：1725℃ | |
摻雜類型：N型 | |
電阻率：R≤0.2Ω·cm | |
遷移率：300cm2/v·s | |
禁帶寬：4.8-4.9V | |
產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)晶向： (100) |
常規(guī)尺寸：10x10x0.7-0.8mm. | |
拋光情況：單拋、雙拋 | |
表面粗糙度：<15A | |
注：尺寸可按照客戶要求定做。 | |
晶體缺陷 | 人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1000級超凈室100級超凈袋真空包裝 |
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