產品名稱

砷化銦（InAs）晶體

技術參數

晶體結構：立方晶系

晶格常數：a=5.4505 ?

摻雜類型：不摻雜

導電類型：N

載流子濃度：2 ~ 5E16 / cm3

遷移率：>18500cm2/V.S

生長方法：CZ

產品規(guī)格

常規(guī)晶向：

常規(guī)尺寸：2"x0.5mm  10x10x0.5mm

拋光情況：單拋 雙拋

表面粗糙度：<15A

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷。

標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝。