產(chǎn)品名稱

磷化銦(InP)晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):立方晶系

晶格常數(shù):a=5.4505 ?

摻雜:None;Sn;S;Fe:Zn

密度:4.81g/cm3

硬度:3 Hohs

導電類型:N;N;N;Si;P

折射率:3.45

載流子濃度:1-2x1016 1-4x1018 1-3x1018 .64x1018

位錯密度:<5x104 cm-2

生長方法:LEC

熔點:1062℃

彈性模量:7.1E1ldym cm-2

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:

常規(guī)尺寸:2″~x0. 5mm 10x10x0.5mm

拋光情況:單拋

表面粗糙度:15A

注:只寸及方向可按照客戶要求定做

晶體缺陷

人工金屬單晶存在常見晶體缺陷，表面可能會有小黑點，微小氣泡等

標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝