產(chǎn)品名稱

4H-SiC晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu): 六方晶系

晶格常數(shù)：a=3.08???c=10.05?

熔點2827℃

硬度(Mohs)：≈9.2

方向：生長軸或偏(0001)?3.5°

密度（g/cm3）3.16

帶隙：2.93eV?(間接)

導電類型：N導電

電阻率:0.1-0.01?ohm-cm

介電常數(shù)：e(11)?=?e(22)?=?9.66?????e(33)?=?10.33

導電率：5W?/?cm·K

生長方式：MOCVD(有機金屬化學氣相沉積）

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向：

?

常規(guī)尺寸：10x5mm?10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm

?

拋光情況：單拋、雙拋拋光面：常規(guī)單拋為“Si” 面拋光，可按要求做“C”面拋光

?

拋光面粗糙度：< 15A注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝