產(chǎn)品名稱

TbScO3 晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：正交晶系

晶格常數(shù)：a=5.4543???b=5.7233???c=7.9147?

密度：6.6 g/cm3

熔點(diǎn)：2127°C

生長方式：提拉法

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向： <110>、

晶向公差：±0.5°

常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm；10x5x0.5mm；5x5x0.5mm

拋光情況：單拋、雙拋

拋光面粗糙度：< 5A

注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工生長單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝